ZXTN2011ZTA

Symbol Micros: TZXTN2011ZTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2011ZTA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7665 0,4850 0,3832 0,3501 0,3336
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Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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