SN65220DBVT
Symbol Micros:
UISN65220dbv
Gehäuse: SOT23-6
Diode: TVS array; unidirectional; 15kV; 60W; 6V; −40°C~85°C; SN65220DBVTG4 SN65220DBVR SN65220DBVRG4
Parameter
| Gehäuse: | SOT23-6 |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Versorgungsspannungsbereich: | 6V |
| Typ: | ESD-Unterdrücker, TVS-Diode |
Hersteller: Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer: SN65220DBVR RoHS
Gehäuse: SOT23-6/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8927 | 0,5666 | 0,4463 | 0,4070 | 0,3885 |
Hersteller: Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer: SN65220DBVR
Gehäuse: SOT23-6
Externes Lager:
11750 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4764 |
| Gehäuse: | SOT23-6 |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Versorgungsspannungsbereich: | 6V |
| Typ: | ESD-Unterdrücker, TVS-Diode |
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