SN65220DBVT

Symbol Micros: UISN65220dbv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
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Diode: TVS array; unidirectional; 15kV; 60W; 6V; −40°C~85°C; SN65220DBVTG4 SN65220DBVR SN65220DBVRG4
Parameter
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Versorgungsspannungsbereich: 6V
Typ: ESD-Unterdrücker, TVS-Diode
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: SN65220DBVR RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8818 0,5597 0,4409 0,4021 0,3838
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Standard-Verpackung:
1200
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: SN65220DBVR Gehäuse: SOT23-6  
Externes Lager:
9600 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8439
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Versorgungsspannungsbereich: 6V
Typ: ESD-Unterdrücker, TVS-Diode

Symbol Micros

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