SN65220DBVT

Symbol Micros: UISN65220dbv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
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Diode: TVS array; unidirectional; 15kV; 60W; 6V; −40°C~85°C; SN65220DBVTG4 SN65220DBVR SN65220DBVRG4
Parameter
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Versorgungsspannungsbereich: 6V
Typ: ESD-Unterdrücker, TVS-Diode
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: SN65220DBVR RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8782 0,5574 0,4391 0,4004 0,3822
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Standard-Verpackung:
1200
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 85°C
Versorgungsspannungsbereich: 6V
Typ: ESD-Unterdrücker, TVS-Diode

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