TJ2998GDP
Symbol Micros:
UITJ2998GDP HTC
Gehäuse: SOP08-EP(exposed pad)
IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.57÷0.93V TJ2998GDP-TT
Parameter
| Gehäuse: | SOP08-EP(exposed pad) |
| Eingangsspannung (Bereich): | 8V ~ 40V |
| Integrierten Schaltkreises-Typ: | Versorgungsspannungsmanagement |
| Hersteller: | HTC Korea |
| Montage: | SMD |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | SOP08-EP(exposed pad) |
| Eingangsspannung (Bereich): | 8V ~ 40V |
| Integrierten Schaltkreises-Typ: | Versorgungsspannungsmanagement |
| Hersteller: | HTC Korea |
| Montage: | SMD |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 85°C |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole