TPD4E1B06DCKR

Symbol Micros: UITPD4e1b06dckr

Gehäuse: SC70-6

4-Chl Ultra Low Leakage ESD Protection Device; 3A; Vbr 14,5V; 5,5V; -40°C~85°C;

Parameter

Betriebsspannung:	5,5V
Gehäuse:	SC70-6
Integrierten Schaltkreises-Typ:	TVS-DIODE
Hersteller:	Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 85°C

Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: TPD4E1B06DCKR RoHS BYP Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1829 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6276	0,3973	0,3126	0,2844	0,2727

Betriebsspannung:	5,5V
Gehäuse:	SC70-6
Integrierten Schaltkreises-Typ:	TVS-DIODE
Hersteller:	Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 85°C