TLV9002IDR

Symbol Micros: WOTLV9002idr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Dual Op-Amp, GBW 1MHz, SR 2V/us, Voff 1,6mV, 1,8V ~ 5,5V, -40°C ~ 125°C; Äquivalent: TLV9002IDR-TEX-0;
Parameter
Betriebsspannung: 1,8V ~ 5,5V
Transportband: 1MHz
Geschwindigkeit des Spannungsanstiegs: 2V/us
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
Integrierten Schaltkreises-Typ: Operationsverstärker
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: TLV9002IDR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7148 0,4538 0,3563 0,3199 0,3109
Standard-Verpackung:
900
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: TLV9002IDR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7148 0,4538 0,3563 0,3199 0,3109
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: TLV9002IDR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7148 0,4538 0,3563 0,3199 0,3109
Standard-Verpackung:
2500
Betriebsspannung: 1,8V ~ 5,5V
Transportband: 1MHz
Geschwindigkeit des Spannungsanstiegs: 2V/us
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Texas Instruments
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
Integrierten Schaltkreises-Typ: Operationsverstärker
Anzahl der Kanäle: 2
Montage: SMD