fotoelektrisch Sensor (Ergebnisse: 81)
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Sensoren-Typ
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optischer Sensor-Art
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Bereich
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Ausgangskonfiguration
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Versorgungsspannung
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Sensorgehäuse
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Betriebsstrom
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EE-SX672
Fotomikrosensor, Schlitztyp, NPN-Ausgang, Dunkel-EIN-/Hell-Ein-Modus Schlitzbreite: 5 mm, Montage: 4-poliger Stecker, Form: T, 5 ÷ 24 VDC, -25 ÷ 55 °C
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Rys.EE-SX672
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
Photoelektrisch | 5mm | NPN | 5V~24V | 100mA | -25°C ~ 55°C | IP50 | ||||||||||||||||
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EE-SY1201
Fotomikrosensor, reflektierend, Fototransistorausgang, integrierte Linse Montage: SMT, If=50mA, Vce=35V, Ic=20mA, Pc=75mW, -25÷85°C
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Rys.EE-SY1201
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
Photoelektrisch | Fotodiode | 3mm | 35V | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | ||||||||||||||||
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EE-SY199
Fotoelektrischer Sensor; 1 mm; Ic 20mA; Wenn 50mA; VR 6V; Vceo 35V; 930 nm; -25°C~85°C;
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EE-SY199
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
Photoelektrisch | Fotodiode | 1mm | 35V | Löten | -25°C ~ 85°C | |||||||||||||||||
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QRE1113GR
Fotomikrosensor, reflektierend, Fototransistorausgang Montage: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40÷85°C
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Rys.QRE1113GR
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: QRE1113GR RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.QRE1113GR |
Auf Lager:
78 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: QRE1113GR Präzisionsgehäuse: Rys.QRE1113GR |
Externes Lager:
55000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: QRE1113GR Präzisionsgehäuse: Rys.QRE1113GR |
Externes Lager:
198000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: QRE1113GR Präzisionsgehäuse: Rys.QRE1113GR |
Externes Lager:
39000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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EE-SX1140
Fotomikrosensor, Schlitztyp, Fototransistorausgang Schlitzbreite: 14 mm, Montage: THT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=100mW, -25÷85°C
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Rys.EE-SX1140
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Hersteller:
OMRON Hersteller-Teilenummer: EESX1140 Präzisionsgehäuse: Rys.EE-SX1140 |
Externes Lager:
570 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Photoelektrisch | Szczelina(nadajnik-odbiornik) | 30V | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | |||||||||||||||||
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EE-SX1330
Fotomikrosensor, Schlitztyp, Fototransistorausgang Schlitzbreite: 3 mm, Montage: SMT, If=25 mA, Vce=12 V, Ic=20 mA, Pc=75 mW, -30-85 °C
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Rys.EE-SX1330
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Hersteller:
OMRON Hersteller-Teilenummer: EESX1330 Präzisionsgehäuse: Rys.EE-SX1330 |
Externes Lager:
7120 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Photoelektrisch | Fotodiode | 3mm | 12V | Löten | 25mA | -30°C ~ 85°C | ||||||||||||||||
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Hersteller:
OMRON Hersteller-Teilenummer: EESX1330 Präzisionsgehäuse: Rys.EE-SX1330 |
Externes Lager:
17000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Photoelektrisch | Fotodiode | 3mm | 12V | Löten | 25mA | -30°C ~ 85°C | ||||||||||||||||
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G12-3A07PB
Fotoelektrischer Sensor; diffus; Bereich: 0-7 cm; PNP/NC; 0-70 mm; 10-30 VDC; M12, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Metall; IP54
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Rys.G12-3A07PB
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Photoelektrisch | Reflektierend | 0÷7cm | PNP/NC | 10÷30VDC | M12, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Metall | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G12-3B1PA
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-1m; PNP/NO; 10-30 VDC; M12, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Metall; IP54
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Rys.G12-3B1PA
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Photoelektrisch | Retroreflektierend (mit Spiegel) | 0÷1m | PNP/NO | 10÷30VDC | M12, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Metall | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G12-3C3PA
Fotoelektrischer Sensor; Strahl (Sender-Empfänger); Reichweite: 0-3 m; PNP/NO; 10-30 VDC; M12, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Metall; IP54
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Rys.G12-3C3PA
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Photoelektrisch | Strahl (Sender - Empfänger) | 0÷3m | PNP/NO | 10÷30VDC | M12, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Metall | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G12-3C3PB
Fotoelektrischer Sensor; Strahl (Sender-Empfänger); Reichweite: 0-3 m; PNP/NC; 10-30 VDC; M12, zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Metall; IP54
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Rys.G12-3C3PB
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Photoelektrisch | Strahl (Sender - Empfänger) | 0÷3m | PNP/NC | 10÷30VDC | M12, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Metall | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G18-3A10NC
Fotoelektrischer Sensor; diffus; Bereich: 0-10 cm; NPN/NO+NC; 10-30 VDC; M18; zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G18-3A10NC
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Photoelektrisch | Reflektierend | 0÷10cm | NPN/NO+NC | 10÷30VDC | M18, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G18-3A10PA
Fotoelektrischer Sensor; diffus; Bereich: 0-10 cm; PNP/NO; 10-30 VDC; M18; zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G18-3A10PA
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Photoelektrisch | Reflektierend | 0÷10cm | PNP/NO | 10÷30VDC | M18, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G18-3A10PCT Z
Fotoelektrischer Sensor; diffus; Bereich: 0-10 cm; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M18; zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G18-3A10PCT
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Photoelektrisch | Reflektierend | 0÷10cm | PNP/NO+NC | 10÷30VDC | M18, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G30-3B3PC
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-3 m; PNP/NO+NC; 10-30 VDC; M30; zylindrisch; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP66
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Rys.G30-3B3PC
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Photoelektrisch | Retroreflektierend (mit Spiegel) | 0÷3m | PNP/NO+NC | 10÷30VDC | M30, Zylindrisch | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP66 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G50-3B4NC
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-4 m; NPN/NO+NC; 10-30 VDC; M50; Quader; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G50-3B4NC
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Photoelektrisch | Retroreflektierend (mit Spiegel) | 0÷4m | NPN/NO+NC | 10÷30VDC | M50, Quader | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G50-4B4JC
Fotoelektrischer Sensor; retroreflektierend (mit Spiegel); Reichweite: 0-4 m; Relais; NO+NC; 10-30 VDC; M50; Quader; Draht: 2m; 200mA; Betriebstemperatur: -25°C÷55°C; Plastik; IP54
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Rys.G50-4B4JC
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Photoelektrisch | Retroreflektierend (mit Spiegel) | 0÷4m | NO+NC | 10÷30VDC | M50, Quader | Kabel 2m | 200mA | -25°C ~ 55°C | Plastik | IP54 | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GP1S51VJ000F
Fotounterbrecher, Schlitztyp, Fototransistorausgang, Schraubenbefestigungslöcher Schlitzbreite: 3 mm, Montage: THT, If=50 mA, Vce=35 V, Ic=20 mA, Pc=75 mW, -25-85 °C
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Rys.GP1S51VJ000F
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Photoelektrisch | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GP1S52VJ000F
Fotounterbrecher, Schlitztyp, Fototransistorausgang Schlitzbreite: 3 mm, Montage: THT, If=50 mA, Vce=35 V, Ic=20 mA, Pc=75 mW, -25-85 °C
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Rys.GP1S52VJ000F
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Photoelektrisch | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GP1S58VJ000F
Fotounterbrecher, Schlitztyp, Fototransistorausgang Schlitzbreite: 5 mm, Montage: THT, If=50mA, Vce=35V, Ic=20mA, Pc=75mW, -25÷85°C
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Rys.GP1S58VJ000F
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Photoelektrisch | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | ||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DPI010600 OncQue
Fotounterbrecher, Schlitztyp, Fototransistorausgang Schlitzbreite: 5 mm, Montage: THT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=100mW, -25÷85°C
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Rys.DPI010600
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Photoelektrisch | 5V | Löten | 50mA | -25°C ~ 85°C | Synthetisches Material | ||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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EE-SX3081
Fotomikrosensor, Schlitztyp, Foto-IC-Ausgang, Dunkel-EIN-Modus Schlitzbreite: 5 mm, Montage: THT, Vout=28 V, Iout=16 mA, Pout=250 mW, -40-75 °C
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Rys.EE-SX3081
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Photoelektrisch | Fotodiode | 4,5V~16V | Löten | 50mA | -40°C ~ 75°C | ||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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