Transistoren (Ergebnisse: 9573)

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Transistorsysteme [J/N]
MPSA92 CDIL Transistor: PNP; Bipolar; 300V; 500mA; 0.625/15W; TO92 Transistor: PNP; Bipolar; 300V; 500mA; 0.625/15W; TO92
Micros Symbol: TMPSA92 cdil Infos
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MPSA92 RoHS || MPSA92G || MPSA92 CDIL TO92
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
MPSA92 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1616 0,0764 0,0428 0,0324 0,0294
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
TO92 625mW 40 50MHz 500mA 300V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
MPSA92G Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
5200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0294
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100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO92 625mW 40 50MHz 500mA 300V PNP -55°C ~ 150°C
MPSA92 DIOTEC PNP 500mA 300V 625mW 50MHz PNP 500mA 300V 625mW 50MHz
Micros Symbol: TMPSA92 DIOTEC Infos
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MPSA92 RoHS || MPSA92 || MPSA92 DIOTEC TO92
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
MPSA92 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
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3700 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1283 0,0489 0,0275 0,0227 0,0214
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4000
Menge (mehrere 1)
TO92 DIOTEC 625mW 40 70MHz 500mA 300V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
MPSA92 Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
2450 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0317
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100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO92 DIOTEC 625mW 40 70MHz 500mA 300V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
MPSA92 Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
5500 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0283
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO92 DIOTEC 625mW 40 70MHz 500mA 300V PNP -55°C ~ 150°C
MPSA92 LGE Transistor PNP; 40; 625mW; 305V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 625mW; 305V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TMPSA92 LGE Infos
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MPSA92 RoHS || MPSA92 LGE TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
MPSA92 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
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Auf Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1076 0,0428 0,0251 0,0185 0,0165
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 10)
TO92 625mW 40 50MHz 200mA 305V PNP -55°C ~ 150°C
MUN2211T1G ONSemiconductors Transistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TMUN2211 Infos
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MUN2211T1G RoHS 8A... || MUN2211T1G || MUN2211T1G ONSemiconductors SC59
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN2211T1G RoHS 8A... Präzisionsgehäuse:
SC59
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Auf Lager:
508 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1154 0,0529 0,0289 0,0212 0,0192
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Standard-Verpackung:
568
Menge (mehrere 1)
SC59 ON SEMICONDUCTOR 230mW 60 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN2211T1G RoHS 8A... Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
422 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1154 0,0529 0,0289 0,0212 0,0192
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Standard-Verpackung:
422
Menge (mehrere 1)
SC59 ON SEMICONDUCTOR 230mW 60 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN2211T1G Präzisionsgehäuse:
SC59  
Externes Lager:
141000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0192
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC59 ON SEMICONDUCTOR 230mW 60 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN2211T1G Präzisionsgehäuse:
SC59  
Externes Lager:
203443 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0192
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC59 ON SEMICONDUCTOR 230mW 60 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN2211T1G Präzisionsgehäuse:
SC59  
Externes Lager:
18000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0207
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC59 ON SEMICONDUCTOR 230mW 60 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
SIHG20N50C-E3 N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
Micros Symbol: TSIHG20n50c Infos
Datenblatt
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SIHG20N50C-E3 RoHS || SIHG20N50C-E3 TO247
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIHG20N50C-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4599 1,9524 1,7456 1,6705 1,6399
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Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
270mOhm 20A 250W TO247 VISHAY 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SIHG20N50C-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4599 1,9524 1,7456 1,6705 1,6399
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Standard-Verpackung:
25/50
Menge (mehrere 1)
270mOhm 20A 250W TO247 VISHAY 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSIHK045N60E-T1-GE3 Infos
Datenblatt
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SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS || SIHK045N60E-T1-GE3 || SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,8220 5,3638 5,0819 4,9386 4,8516
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
49mOhm 48A 278W PPAK-SO8 Siliconix 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIHK045N60E-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,8516
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		49mOhm 48A 278W PPAK-SO8 Siliconix 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V SMD
MUN5212DW1T1G ONSemiconductor 2NPN 50V 100mA 250mW 2NPN 50V 100mA 250mW
Micros Symbol: TMUN5212dw Infos
Datenblatt
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MUN5212DW1T1G RoHS || MUN5212DW1T1G || MUN5212DW1T1G ONSemiconductor SOT363
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5212DW1T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1186 0,0545 0,0296 0,0222 0,0198
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 1)
SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5212DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0241
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5212DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
87000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0295
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
MUN5213T1G ONSemiconductor NPN 50V 100mA 202mW NPN 50V 100mA 202mW
Micros Symbol: TMUN5213 Infos
Datenblatt
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MUN5213T1G RoHS || MUN5213T1G || MUN5213T1G ONSemiconductor SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5213T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2800 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0695 0,0268 0,0131 0,0104 0,0099
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5213T1G Präzisionsgehäuse:
SC70-3  
Externes Lager:
27000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0168
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5213T1G Präzisionsgehäuse:
SC70-3  
Externes Lager:
39000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0159
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5213T1G Präzisionsgehäuse:
SC70-3  
Externes Lager:
57000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
MUN5233T1G ON Semiconductor NPN 50V 100mA 202mW NPN 50V 100mA 202mW
Micros Symbol: TMUN5233t1g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MUN5233T1G SC70-3 RoHS || MUN5233T1G ON Semiconductor SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5233T1G SC70-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1339 0,0613 0,0334 0,0249 0,0223
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 200 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
MUN5311DW1T1G Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Micros Symbol: TMUN5311dw Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MUN5311DW1T1G RoHS || MUN5311DW1T1G || MUN5311DW1T1G SC-88 t/r
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5311DW1T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1616 0,0768 0,0432 0,0327 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5311DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
660000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0294
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5311DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
1092000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5311DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
111000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
MUN5312DW1T1G Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Micros Symbol: TMUN5312dw Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MUN5312DW1T1G RoHS || MUN5312DW1T1G || MUN5312DW1T1G SC-88 t/r
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5312DW1T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1142 0,0451 0,0263 0,0192 0,0176
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5312DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
219000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0241
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5312DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
951000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0257
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5312DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r  
Externes Lager:
32971 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0282
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
MUN5314DW1T1G ON SEMI Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V
Micros Symbol: TMUN5314dw Infos
Datenblatt
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MUN5314DW1T1G RoHS || MUN5314DW1T1G || MUN5314DW1T1G ON SEMI SC70-6
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5314DW1T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2120 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1292 0,0613 0,0345 0,0263 0,0235
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5314DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC70-6  
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624000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0235
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MUN5314DW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC70-6  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0235
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3000
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20 Euro überschreiten. 		SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TSIRA28bdp Infos
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SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS || SIRA28BDP-T1-GE3 || SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 110+ 550+
Preis netto (EUR) 1,0126 0,6743 0,5568 0,5004 0,4816
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110
Menge (mehrere 1)
12mOhm 38A 17W PPAK-SO8 VISHAY 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIRA28BDP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4816
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		12mOhm 38A 17W PPAK-SO8 VISHAY 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 7,8 mOhm; 13,5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSISH110dn Infos
Datenblatt
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SISH110DN-T1-GE3 RoHS || SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SISH110DN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK1212  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4191 0,9938 0,8458 0,7730 0,7471
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Standard-Verpackung:
650
Menge (mehrere 1)
7,8mOhm 13,5A 1,5W PPAK1212 Vishay 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSISS22dn Infos
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SISS22DN-T1-GE3 RoHS || SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SISS22DN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8702 1,4802 1,2617 1,1583 1,0995
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
5mOhm 90,6A 65,7W PPAK-SO8 VISHAY 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SIZ240DT-T1-GE3 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSIZ240dt Infos
Datenblatt
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SIZ240DT-T1-GE3 RoHS || SIZ240DT-T1-GE3 POWERPAIR08(3.3x3.3)
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIZ240DT-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
POWERPAIR08(3.3x3.3)
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8302 1,4520 1,3133 1,2405 1,2194
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
13mOhm 48A 33W POWERPAIR08(3.3x3.3) VISHAY 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SK3402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 65mOhm; 4,2A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3402;
Micros Symbol: TSK3402 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SK3402 RoHS || SK3402 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2016 0,0959 0,0538 0,0409 0,0367
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
65mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 30V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 12V SMD
SK3407 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 4.1A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407;
Micros Symbol: TSK3407 Infos
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SK3407 RoHS || SK3407 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3407 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2082 0,0984 0,0552 0,0416 0,0378
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
100mOhm 4,1A SC59 SHIKUES 30V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 20V SMD
SK3414 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3414;
Micros Symbol: TSK3414 Infos
Datenblatt
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SK3414 RoHS || SK3414 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3414 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
270 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2314 0,1095 0,0613 0,0463 0,0421
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
60mOhm 4,5A 1,4W SC59 SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2502 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Micros Symbol: TSKML2502 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML2502 RoHS || SKML2502 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2502 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2480 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2185 0,1038 0,0583 0,0444 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
55mOhm 4,5A SOT23 SHIKUES 30V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 12V SMD
SKML6401 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 16V; 8V; 140 mOhm; 3A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Micros Symbol: TSKML6401 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML6401 RoHS || SKML6401 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML6401 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
750 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1938 0,0775 0,0451 0,0376 0,0352
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
140mOhm 3A SOT23 SHIKUES 16V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 8V SMD
SKQ55P02AD SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSKQ55P02ad Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SKQ55P02AD RoHS || SKQ55P02AD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ55P02AD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2725 0,1732 0,1215 0,1055 0,0987
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
15mOhm 55A 38W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
NSV1C300ET4G PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360
Micros Symbol: TNSV1C300et4g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NSV1C300ET4G RoHS || NSV1C300ET4G || NSV1C300ET4G TO252 (DPACK)
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NSV1C300ET4G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5639 0,3407 0,2631 0,2373 0,2255
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 2,1W 360 100MHz 3A 100V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NSV1C300ET4G Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2696
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 2,1W 360 100MHz 3A 100V PNP -65°C ~ 150°C
SMP5116 Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Micros Symbol: TSMP5116 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SMP5116 RoHS || SMP5116 SOT23
Hersteller:
INTERFET Hersteller-Teilenummer:
SMP5116 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
Preis netto (EUR) 3,1741 2,8240 2,6126 2,5069 2,4411
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Standard-Verpackung:
110
Menge (mehrere 1)
-25mA SOT23 InterFET -15V P-MOSFET 30V SMD
SPA07N60C3 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1
Micros Symbol: TSPA07n60c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPA07N60C3XKSA1 RoHS || SPA07N60C3XKSA1 || SPA07N60C3 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA07N60C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6775 1,3368 1,1442 1,0291 0,9868
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA07N60C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
104 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9868
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA07N60C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
4890 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9868
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPA11N80C3 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Micros Symbol: TSPA11n80c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPA11N80C3XKSA1 RoHS || SPA11N80C3XKSA2 || SPA11N80C3XKSA1 || SPA11N80C3 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 4,3653 3,6957 3,2916 3,0308 2,9298
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA2 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9298
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
8850 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9298
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA2 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
492 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9298
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPB17N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPB17N80C3ATMA1;
Micros Symbol: TSPB17n80c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3ATMA1 || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPB17N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,2376 2,7841 2,6055 2,5116 2,4904
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPB17N80C3ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4904
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPB17N80C3ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
46000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4904
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD06N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Micros Symbol: TSPD06n80c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3ATMA1 || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,8484 3,2399 2,8734 2,6925 2,5821
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD06N80C3ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,5821
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD06N80C3ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,5821
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD07N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,46 Ohm; 7,3A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
Micros Symbol: TSPD07n60c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3ATMA1 || SPD07N60C3 TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD07N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1301 0,7918 0,6719 0,6156 0,5944
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
1,46Ohm 7,3A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD07N60C3ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
12500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5944
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,46Ohm 7,3A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD09P06PL G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 400 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD09P06PLGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD09p06pl Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PLGBTMA1 || SPD09P06PL G TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9821 0,7213 0,5780 0,4957 0,4675
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9821 0,7213 0,5780 0,4957 0,4675
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD09P06PLGBTMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
7500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4675
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
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