Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6443)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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IPB017N10N5 Infineon
N-MOSFET 100V 180A 375W 1.7mΩ IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5LF
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TO263/7
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB029N06N3GATMA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB029N06N3GE8187ATMA1;
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D2PAK
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N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB031N08N5
MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB054N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
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D2PAK
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N-MOSFET | 80V | 20V | 5,4mOhm | 80A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB60R190C6 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
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D2PAK
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N-MOSFET | 600V | 20V | 190mOhm | 20,2A | 151W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD034N06N3G Infineon
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 167W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD034N06N3GATMA1;
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TO252/3 (DPAK)
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N-MOSFET | 60V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 167W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD22N08S2L50ATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R1K0PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,978 Ohm; 4,7A; 26W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R1K0PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 1,978Ohm | 4,7A | 26W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R1K5PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 2,892 Ohm; 3,6A; 22W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 2,892Ohm | 3,6A | 22W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R210PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 386 mOhm; 16A; 64W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R210PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 386mOhm | 16A | 64W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R600C6 Infineon
N-MOSFET 600V 7.3A 63W 600mΩ IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1
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TO252
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 600V; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Leistungstransistor
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DPAK
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N-MOSFET | 600V | 20V | 280mOhm | 12A | 53W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R280PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 549 mOhm; 12A; 51W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R280PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 549mOhm | 12A | 51W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R2K0PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolar | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
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DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R360PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 715 mOhm; 10A; 43W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R360PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 715mOhm | 10A | 43W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R3K3C6 Infineon Tech
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 7,72 Ohm; 1,7A; 18,1W; -55 °C ~ 150 °C;
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TO252
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N-MOSFET | 650V | 30V | 7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R600PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,219 Ohm; 6A; 31W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R600PFD7SAUMA1;
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DPAK
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N-MOSFET | 650V | 20V | 1,219Ohm | 6A | 31W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Ähnlich zu: IPD65R660CFDBTMA1; Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
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DPAK
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N-MOSFET | 700V | 20V | 660mOhm | 6A | 63W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD900P06NMATMA1
TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD90N03S4L03ATMA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 3,3 mOhm; 90A; 94W; -55°C~175°C;
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DPAK
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N-MOSFET | 30V | 10V | 16V | 3,3mOhm | 90A | 94W | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD90P03P4L04
P-MOSFET 30V 90A 137W 4.1mΩ IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA1
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TO252
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD90P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPDD60R050G7XTMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPG16N10S461AATMA1
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 61mOhm; 16A; 29W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPG16N10S461ATMA1;
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TDSON-8
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2xN-MOSFET | 100V | 10V | 25V | 61mOhm | 16A | 29W | -55°C ~ 175°C | TDSON-8 | INFINEON | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPI029N06NAKSA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 2,9 mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
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TO262
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N-MOSFET | 60V | 10V | 30V | 2,9mOhm | 24A | 3W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | INFINEON | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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