FRAM-Speicher der Firma SMART MEMORIES

Was ist FRAM?

FRAM (Ferroelectric RAM) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der einige Vorteile von DRAM (schnelles Lesen/Schreiben) und EEPROM/Flash (Datenhaltung bei Stromausfall) kombiniert.
In der Praxis:

• Kein Schreib-Warten – sehr kurze Schreibzeiten, keine „Programmierungs-/Sperr“-Prozeduren wie bei Flash
• Sehr hohe Anzahl von Lese-/Schreibzyklen (oft Milliarden)
• Geringer Stromverbrauch, gute Temperaturbeständigkeit

FRAM wird häufig dort eingesetzt, wo EEPROM/Flash die hohe Anzahl von Schreibzyklen nicht bewältigen kann oder wo schnelle Schreibvorgänge kleiner Datenmengen erforderlich sind.

FRAM vs. EEPROM/Flash

Im Gegensatz zu Flash, EEPROM oder DRAM ist der FRAM-Markt relativ klein. Die Gründe dafür sind sowohl technologischer als auch marktbezogener Natur. Die Herstellungstechnologie von FRAM ist schwierig und teuer. FRAM verwendet ferroelektrische Schichten, die einen anderen Herstellungsprozess erfordern als das klassische CMOS, das in DRAM/Flash eingesetzt wird. Zudem lassen sich ferroelektrische Materialien schwieriger in andere integrierte Schaltungen einbinden. Der Massenmarkt hat sich für Flash und EEPROM entschieden, weil sie pro Bit günstiger sind, auch wenn ihre Parameter viel schlechter sind (langsames Schreiben, begrenzte Zykluszahl).

FRAM lässt sich deutlich schlechter skalieren als Flash. Aktuelle FRAM-Bausteine umfassen meist einige hundert Kilobit bis mehrere Megabit, während Flash problemlos Gigabit-Kapazitäten bietet. Daher eignet sich FRAM eher als „Arbeitsspeicher“ (Logdaten, Parameter, Konfiguration) als für Massenspeicher. Zudem lagen viele Jahre lang die wichtigsten Patente bei Firmen wie Ramtron (später von Cypress und danach Infineon übernommen) und Fujitsu, was den Wettbewerb stark eingeschränkt hat.

FRAM-Speicher werden geschätzt in Energiezählern, Medizingeräten, Automotive-Systemen (Black Boxes) sowie batteriebetriebenen IoT-Geräten – überall dort, wo Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und schnelle Schreibvorgänge entscheidend sind und EEPROM/Flash an ihre Grenzen stoßen.

SMART MEMORIES – die kluge Wahl für Ihr Budget.

Wuxi Smart Memories ist ein schnell wachsendes chinesisches Unternehmen, das sich auf die Herstellung moderner FRAM-Speicher spezialisiert hat. Dank der langjährigen Erfahrung seines Ingenieurteams und des Zugangs zu modernen Halbleitertechnologien liefert Smart Memories Lösungen mit außergewöhnlicher Haltbarkeit, Geschwindigkeit und Energieeffizienz.

Die FRAM-Technologie wurde ursprünglich von Ramtron entwickelt und war viele Jahre lang durch Patente geschützt, wodurch sie nur wenigen Herstellern zugänglich war. Heute sind jedoch die grundlegenden Patente abgelaufen, was den Markt für neue Anbieter geöffnet hat.
Dadurch kann Smart Memories völlig legal eigene FRAM-Chips anbieten und garantiert volle rechtliche Konformität sowie höchste Fertigungsqualität.

Es ist erwähnenswert, dass chinesische Firmen im Halbleiterbereich immer stärker vertreten sind. Sie fertigen längst nicht mehr nur einfache Bauteile wie Dioden oder Transistoren – sie dringen zunehmend auch in High-Tech-Bereiche vor, die früher globalen Marktführern vorbehalten waren. Smart Memories ist ein hervorragendes Beispiel für einen solchen „chinesischen Trumpf“: konkurrenzfähig, innovativ und zuverlässig.

Micros führt die Smart-Memories-Produkte auf dem Markt ein und zeigt damit seine besondere Fähigkeit, hochwertige und potenzialreiche Produkte in China zu identifizieren. Dank Micros erhalten Kunden Zugang zu modernen FRAM-Speichern, die deutlich günstiger sind als die entsprechenden Lösungen von Cypress (Infineon), dabei jedoch vollständig kompatibel und zuverlässig bleiben. Dies macht sie zu einer hervorragenden, kosteneffizienten Alternative, mit der sich Projektbudgets deutlich reduzieren lassen – ohne technische Kompromisse.

Die Produkte von Smart Memories finden Anwendung in einer Vielzahl von Branchen – von Industrie und Automobil über Automatisierung und Energie bis hin zu Medizin und IoT. Zuverlässigkeit, geringer Energieverbrauch und nahezu unbegrenzte Schreibzyklen machen diese FRAM-Speicher zur natürlichen Wahl überall dort, wo herkömmlicher EEPROM oder Flash nicht ausreicht.

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Tabelle 1. FRAM-Speicher der Firma SMART MEMORIES im Angebot von Micros