Neuheit - MOSFET-Transistoren

2022-02-28

Wir haben unser Sortiment um neue p-Kanal-MOSFET-Transistoren mit niedrigem Kanalwiderstand und einer Durchbruchsspannung von 30 V erweitert.

Diese Transistoren sind universell einsetzbar und finden Anwendung in schnellen Schaltkreisen. Sie enthalten einen integrierten Gate-Schutzdioden gegen ESD-Entladungen.

SYMBOL BESCHREIBUNG

XP231P02013R-G

P-Kanal-MOSFET; 30V; 8V; 8 Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

XP232N03013R-G

N-Kanal-MOSFET; 30V; 20V; 2,5 Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

 

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