Schnelle und ultraschnelle Schaltdioden für Signal- und Schutzanwendungen
Die JSMSEMI-Dioden der Serien BAS und BAV sind hochwertige Schalt-Dioden, die für Schaltungen ausgelegt sind, die sehr schnelle Reaktionszeiten, hohe Zuverlässigkeit und stabile elektrische Parameter erfordern. Die BAS/BAV-Dioden eignen sich besonders für Signalpfadanwendungen und schnelles Umschalten von Spannungen in moderner digitaler und analoger Elektronik.
Die Serie umfasst Modelle mit unterschiedlichen Stromwerten (bis 0,25 A) und Sperrspannungen (von 75 V bis 250 V), was eine flexible Auswahl je nach Anforderung ermöglicht. Dank sehr kurzer Sperrerholzeiten (von wenigen bis zu mehreren Dutzend Nanosekunden) gewährleisten diese Dioden minimale Schaltverluste und eine hohe Signalintegrität.
Technische Merkmale
- Sehr schnelle und ultraschnelle Schaltzeiten (typisch 4–50 ns, je nach Modell)
- Maximaler Durchlassstrom bis 250 mA
- Sperrspannung von 75 V bis 250 V
- Geringe Sperrschichtkapazität – reduzierte Signalverzerrung
- Stabile Parameter über einen weiten Temperaturbereich
- Geringe Verlustleistung (bis ca. 0,5 W je nach Ausführung)
- SMD-Versionen optimiert für die Oberflächenmontage
- Gurtverpackung (band/rolle) – bereit für die Serienproduktion
Anwendungen
- Digitalelektronik: Datenleitungen und Busse, Logikschaltungen, schnelle Signalschalter
- Schutz von Schaltungen: Eingangsschutz gegen Überspannung, Unterdrückung von Spannungsspitzen, Schutz von Mikrocontrollern und ICs
- Telekommunikation und Multimedia: Audio- und Videosignalpfade, Kommunikationsgeräte, Low-Power-RF-Systeme
- Stromversorgung und Automatisierung: Schaltnetzteile, Treiber, I/O-Module, Industrieelektronik
- Unterhaltungselektronik: Haushaltsgeräte, tragbare Geräte, Steuerungssysteme
