Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRLML2502TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 4A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | ||||||||||||
IRLML2502TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 90mOhm | 4,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | ||||||||||||
IRLML2502 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | ||||||||||||
IRLML2502 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
IRLML2502
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
574 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20368 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2996 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2996 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
STP10NK60ZFP
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1060 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | ||||||||||||
IRF9520
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9520 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | ||||||||||||
MMBF170 ONS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9409 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/33000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
TSM9926DCS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | ||||||||||||
BSS138BK,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/99000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,5Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9mOhm | 100A | 170W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
SH8JC5TB1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 32mOhm | 7,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ROHM | ||||||||||||
2SJ360
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: 2SJ360 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 1,2Ohm | 1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Toshiba | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||||
BSS139H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 30Ohm; 100mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | ||||||||||||
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1684 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
Stan magazynowy:
216 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
HY3906P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 190A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFB3306PBF; IRFB3306GPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 4mOhm | 190A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG013N03LS1C2 HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,8mOhm | 150A | 65W | SMD | -55°C ~ 175°C | PDFN08(6x5) | HUAYI | ||||||||||||
HYG035N10NS2P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4mOhm | 180A | 220W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG038N03LR1C2 HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,6mOhm | 84A | 53W | SMD | -55°C ~ 175°C | PDFN08(6x5) | HUAYI | ||||||||||||
HYG038N03LR1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78A; 6,3mOhm; 47W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,3mOhm | 78A | 47W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG042N10NS1B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG053N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5mOhm | 120A | 187,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG055N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 6,8mOhm | 120A | 187,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG060N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 6mOhm | 105A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG065N03LR1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 10,9mOhm | 55A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG065N07NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 70V | 20V | 6,5mOhm | 100A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG090N06LS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,5mOhm | 62A | 75W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | HUAYI | ||||||||||||
HYG101N10LA1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 125mOhm | 15A | 51,7W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | ||||||||||||
HYG170C03LR1S HUAYI
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 19,3mOhm | 9,5A | 3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | HUAYI |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.