Tranzystory polowe (wyszukane: 2046)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF RoHS || IRLML2502TRPBF HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5660 0,3420 0,2700 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 40mOhm 6A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML2502TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF RoHS || IRLML2502TRPBF JGSEMI SOT23
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4530 0,2730 0,2160 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 4A 1,56W SMD -55°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
IRLML2502TRPBF JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF RoHS || IRLML2502TRPBF JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9770 0,5390 0,3570 0,2970 0,2790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 90mOhm 4,5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
IRLML2502 MLCCBASE Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502 RoHS || IRLML2502 MLCCBASE SOT23
Producent:
MLCCBASE
Symbol Producenta:
IRLML2502 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4490 0,2670 0,2210 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
IRLML2502 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502 RoHS 1G MK, || IRLML2502TR RoHS || IRLML2502 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML2502 RoHS 1G MK,
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
290 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9680 0,4910 0,2970 0,2360 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
 
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9680 0,4850 0,2890 0,2390 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML2502 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
IRLML2502TR RoHS || IRLML2502TRPBF RoHS || IRLML2502 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2502TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
574 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
20368 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
2996 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2996
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 80mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
STP10NK60ZFP Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
STP10NK60ZFP RoHS || STP10NK60ZFP TO220iso
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1060 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8900 4,5000 3,7200 3,2600 3,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 35W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
IRF9520 Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF;
IRF9520 RoHS || IRF9520 TO220
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
IRF9520 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
130 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 1,9000 1,7900 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 600mOhm 6,8A 60W THT -55°C ~ 175°C TO220 VISHAY
MMBF170 ONS Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
MMBF170LT1G RoHS || MMBF170 ONS SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF170LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9409 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8510 0,4310 0,2610 0,2070 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/33000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 500mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
TSM9926DCS Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
TSM9926DCS RLG RoHS || TSM9926DCS SOP08
Producent:
TAI-SEM
Symbol Producenta:
TSM9926DCS RLG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3300 2,0900 1,7400 1,5500 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 40mOhm 6A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
BSS138BK,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
BSS138BK,215 RoHS || BSS138BK,215 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS138BK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31290 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4470 0,2510 0,1910 0,1710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/99000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 6,5Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
IRF1104 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
IRF1104PBF RoHS || IRF1104 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1104PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,0000 6,5500 5,7100 5,1900 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 9mOhm 100A 170W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
SH8JC5TB1 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
SH8JC5TB1 RoHS || SH8JC5TB1 SOP08
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SH8JC5TB1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,6400 11,2800 9,8800 9,2000 8,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 32mOhm 7,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ROHM
2SJ360 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
2SJ360 RoHS || 2SJ360 SOT89
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
2SJ360 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9200 1,8300 1,5200 1,3600 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 1,2Ohm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Toshiba
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 100
                   
BSS139H6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 30Ohm; 100mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
BSS139H6327XTSA1 RoHS || BSS139H6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS139H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6400 1,0700 0,7670 0,6710 0,6290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 250V 20V 30Ohm 100mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS84P Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C;
BSS84 RoHS || BSS84P SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1684 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2784+
cena netto (PLN) 0,4660 0,2130 0,1160 0,0867 0,0776
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2784
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
 
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
216 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 216+ 1296+ 6480+
cena netto (PLN) 0,4660 0,1780 0,0993 0,0819 0,0776
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
216
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-30
Ilość szt.: 3000
                   
HY3906P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 190A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFB3306PBF; IRFB3306GPBF;
HY3906P RoHS || HY3906P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HY3906P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,4200 4,1300 3,4200 3,0000 2,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 25V 4mOhm 190A 220W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG013N03LS1C2 HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;
HYG013N03LS1C2 RoHS || HYG013N03LS1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG013N03LS1C2 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(6x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8600 1,5500 1,3800 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,8mOhm 150A 65W SMD -55°C ~ 175°C PDFN08(6x5) HUAYI
HYG035N10NS2P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
HYG035N10NS2P RoHS || HYG035N10NS2P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG035N10NS2P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,0600 4,6300 3,8300 3,3600 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 4mOhm 180A 220W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG038N03LR1C2 HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;
HYG038N03LR1C2 RoHS || HYG038N03LR1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG038N03LR1C2 RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(6x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,7700 0,5400 0,4690 0,4390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,6mOhm 84A 53W SMD -55°C ~ 175°C PDFN08(6x5) HUAYI
HYG038N03LR1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78A; 6,3mOhm; 47W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
HYG038N03LR1D RoHS || HYG038N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG038N03LR1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3800 0,9050 0,6500 0,5570 0,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,3mOhm 78A 47W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG042N10NS1B HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
HYG042N10NS1B RoHS || HYG042N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG042N10NS1B RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8300 4,4500 3,6800 3,2300 3,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 4,2mOhm 160A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) HUAYI
HYG053N10NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
HYG053N10NS1P RoHS || HYG053N10NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG053N10NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9100 2,8700 2,3000 1,9700 1,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 5,5mOhm 120A 187,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG055N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG055N08NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 6,8mOhm 120A 187,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG060N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG060N08NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,1700 3,7900 3,0400 2,6100 2,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 6mOhm 105A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG065N03LR1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG065N03LR1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,2700 0,8100 0,5690 0,4840 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 10,9mOhm 55A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG065N07NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG065N07NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5200 2,6200 1,9400 1,6300 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 70V 20V 6,5mOhm 100A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG090N06LS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
HYG090N06LS1P RoHS || HYG090N06LS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG090N06LS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4400 1,9100 1,8000 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 15,5mOhm 62A 75W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG101N10LA1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
HYG101N10LA1D RoHS || HYG101N10LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG101N10LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8850 0,7990 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 125mOhm 15A 51,7W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG170C03LR1S HUAYI Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
HYG170C03LR1S RoHS || HYG170C03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG170C03LR1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9200 1,2600 0,9030 0,7900 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 19,3mOhm 9,5A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    69

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.