Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 527)

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SFH309-4/5 OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309-4/5; Φ3mm; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur -40 °C bis 100 °C; transparent;
Micros Symbol: OIO SFH309-4/5 Infos
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SFH 309-4/5 RoHS || SFH309-4/5 OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309
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SFH 309-4/5 RoHS Präzisionsgehäuse:
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SFH309-5 OSRAM Optohalbleiter Fototransistor SFH309-5; Φ3mm; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur -40 °C bis 100 °C; transparent;
Micros Symbol: OIO SFH309-5 Infos
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SFH309-5 RoHS || SFH309-5 OSRAM Optohalbleiter Rys.SFH309
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SFH309FA OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309FA; Φ3mm; 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO SFH309FA Infos
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SFH 309 FA RoHS || SFH309FA OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309FA
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SFH309FA-3/4 OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309FA-3/4; Φ3mm; 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter; SFH309FA-3/4;
Micros Symbol: OIO SFH309FA-3/4 Infos
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SFH309FA-3/4 RoHS || SFH 309 FA-3/4 || SFH309FA-3/4 OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309FA
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SFH309FA-4 OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309FA-4; Φ3mm; 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO SFH309FA-4 Infos
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SFH 309 FA-4 RoHS || SFH309FA-4 OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309FA
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SFH309FA-5 OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309FA-5; Φ3mm; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO SFH309FA-5 Infos
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SFH 309 FA-5 RoHS || SFH309FA-5 OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309FA
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SFH 309 FA-5 RoHS Präzisionsgehäuse:
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SFH309FA-5/6 OSRAM OPTO-HALBLEITER Fototransistor SFH309FA-5/6; Φ3mm; 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO SFH309FA-5/6 Infos
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SFH 309 FA-5/6 RoHS || SFH 309 FA-5/6 || SFH309FA-5/6 OSRAM OPTO-HALBLEITER Rys.SFH309FA
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SFH 309 FA-5/6 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.SFH309FA
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
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SFH 309 FA-5/6 Präzisionsgehäuse:
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SFH313FA-2/3 OSRAM Opto Semiconductors Fototransistoren SFH313FA-2/3; Φ5mm; 870 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V; Emitter-Kollektor 7V; 200 mW; Betriebstemperatur: -40°C~100°C; schwarz mit IR-Filter; Ersatz: SFH 313 FA-2/3 RN18A;
Micros Symbol: OIO SFH313FA-2/3 Infos
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SFH313FA-2/3 RoHS || SFH313FA-2/3 OSRAM Opto Semiconductors Rys.SFH313FA
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SFH313FA-2/3 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.SFH313FA
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Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
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SFH325FA-Z Fototranzystor SFH325FA-Z; 980 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; Emitter-Kollektor 5V; 165 mW; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OOSFH325FA-Z Infos
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SFH325FA RoHS || SFH 325 FA || SFH325FA-Z Rys.SFH325
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SFH325FA RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.SFH325
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
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AMSOSRAM Hersteller-Teilenummer:
SFH 325 FA Präzisionsgehäuse:
Rys.SFH325  
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TEFT4300 Fototransistor; THT T-1; Φ=3mm; 925 nm; Vce 70V; Ic 50mA; 100 mW; ±30°; -40 °C ~ 100 °C;
Micros Symbol: OIO TEFT4300 Infos
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TEFT4300 RoHS || TEFT4300 || TEFT4300 Rys.TEFT4300
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEFT4300 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEFT4300
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
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TEFT4300 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEFT4300  
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TEFT4300 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEFT4300  
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TEKT5400S Fototransistorabmessungen: 5x2,65x5mm: 920nm; Kollektor-Emitter 70V; Emitter-Kollektor 7V; 150 mW; Betriebstemperatur -40°C~85°C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OOTEKT5400s Infos
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TEKT5400S RoHS || TEKT5400S || TEKT5400S SIP 2
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TEKT5400S RoHS Präzisionsgehäuse:
SIP 2
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8311 0,5272 0,4167 0,3776 0,3615
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEKT5400S Präzisionsgehäuse:
SIP 2  
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Preis netto (EUR) 0,3615
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TEMT1000 Vishay Fototransistor TEMT1020; Abmessung: 2,5x2x2,7mm; 880 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO TEMT1000 Infos
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TEMT1000 RoHS || TEMT1000 || TEMT1000 Vishay Rys.TEMT1000
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT1000 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT1000
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4144 0,2288 0,1800 0,1667 0,1598
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT1000 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT1000  
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Preis netto (EUR) 0,1845
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TEMT1020 Vishay Fototransistor TEMT1020; Abmessung: 2,5x2x2,7mm; 880 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V, Emitter-Kollektor 5 V; 100 mW; Betriebstemperatur: -40°C~85°C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO TEMT1020 Infos
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TEMT1020 RoHS || TEMT1020 || TEMT1020 Vishay Rys.TEMT1020
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT1020 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT1020
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4075 0,2238 0,1761 0,1630 0,1563
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT1020 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT1020  
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63000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,1713
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40 Euro überschreiten.
 
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT1020 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT1020  
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161000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,1677
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Der Mindestbestellwert muss
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TEMT6000X01 Fototransistor; SMD 1206; 570 nm; Vce 6V; Ic 20mA; 100 mW; ±60°; 4x2x1,05mm; -40 °C ~ 100 °C;
Micros Symbol: OIO TEMT6000x01 Infos
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TEMT6000X01 RoHS || TEMT6000X01 || TEMT6000X01 Rys.TEMT6000X01
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT6000X01 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT6000X01
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9140 0,6078 0,5019 0,4536 0,4351
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100
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT6000X01 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT6000X01
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27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9140 0,6746 0,5456 0,4697 0,4443
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50
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT6000X01 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT6000X01  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4443
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3000
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40 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT6000X01 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT6000X01  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4443
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
TEMT6200FX01 Vishay Fototransistor TEMT6200FX01; Kollektor-Emitter-Spannung 6V; Betrachtungswinkel 60°; 100 mW; 550 nm; -40°C~100°C; Montage: SMD 0805; grüne LED-Linse;
Micros Symbol: OIO TEMT6200FX01 Infos
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TEMT6200FX01 RoHS || TEMT6200FX01 Vishay Rys.TEMT6200FX01
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT6200FX01 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT6200FX01
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8150 0,5111 0,4259 0,3776 0,3546
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Standard-Verpackung:
100
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TEMT7000X01 Fototransistor; SMD 0805; 850 nm; Vce 20V; Ic 20mA; 100 mW; ±60°; 2x1,25x0,85mm; -40 °C ~ 100 °C;
Micros Symbol: OIO TEMT7000x01 Infos
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TEMT7000X01 RoHS || TEMT7000X01 Rys.TEMT7000X01
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT7000X01 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT7000X01
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5134 0,3108 0,2394 0,2153 0,2049
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TEMT7100X01 Fototransistor; SMD 0805; 870 nm; Vce 20V; Ic 20mA; 100 mW; ±60°; 2x1,25x0,85mm; -40 °C ~ 100 °C;
Micros Symbol: OIO TEMT7100x01 Infos
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TEMT7100X01 RoHS || TEMT7100X01 Rys.TEMT7100X01
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEMT7100X01 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEMT7100X01
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5710 0,3453 0,2648 0,2394 0,2279
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TEPT4400 Vishay Fototransistor TEMT1020; Φ3mm; 570 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 6V; Betrachtungswinkel 30°; 100 mW; Betriebstemperatur: -40°C~85°C; transparent; Ersatz: TEPT4400-MS12;
Micros Symbol: OIO TEPT4400 Infos
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TEPT4400 RoHS || TEPT4400 || TEPT4400 Vishay Rys.TEPT4400
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEPT4400 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.TEPT4400
Datenblatt
Auf Lager:
854 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5295 0,3200 0,2463 0,2222 0,2114
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1000
Menge (mehrere 1)
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEPT4400 Präzisionsgehäuse:
Rys.TEPT4400  
Externes Lager:
7000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,2114
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
TEPT5600 Umgebungslichtsensor, Fototransistor-Chip, Silizium, 570 nm, 2-polig, T-1 3/4
Micros Symbol: OOTEPT5600 Infos
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TEPT5600 RoHS || TEPT5600 LED í 5
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEPT5600 RoHS Präzisionsgehäuse:
LED í 5
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Auf Lager:
3570 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5618 0,3546 0,2809 0,2556 0,2440
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
TEPT5700 Fototransistor TEPT5700; Φ5mm; 570 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 6V; Emitter-Kollektor 1,5V; 100 mW; Betriebstemperatur: -40°C~85°C; transparent;
Micros Symbol: OOTEPT5700 Infos
Datenblatt
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TEPT5700 RoHS || TEPT5700 LED í 5
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
TEPT5700 RoHS Präzisionsgehäuse:
LED í 5
Datenblatt
Auf Lager:
3810 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6147 0,3891 0,3062 0,2786 0,2671
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
OIN LTE4206 IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=60mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
Micros Symbol: OIN LTE4206 Infos
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LTE4206 RoHS || OIN LTE4206 Rys.LTE4206
Hersteller:
LITE-ON Hersteller-Teilenummer:
LTE4206 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.LTE4206
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Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2302 0,1158 0,0688 0,0571 0,0513
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
VEMT2023SLX01 Vishay Fototransistorabmessungen: 2,3x2,55x2,3mm; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 20 V; Emitter-Kollektor 7V; 100 mW; Betriebstemperatur: -40°C~85°C; schwarz mit IR-Filter;
Micros Symbol: OIO VEMT2023SLX01 Infos
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VEMT2023SLX01 RoHS || VEMT2023SLX01 || VEMT2023SLX01 Vishay SMD-2
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
VEMT2023SLX01 RoHS Präzisionsgehäuse:
SMD-2
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1719 0,8219 0,6976 0,6377 0,6170
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10
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
VEMT2023SLX01 RoHS Präzisionsgehäuse:
SMD-2
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0107 0,6723 0,5572 0,5019 0,4812
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1600
Menge (mehrere 1)
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
VEMT2023SLX01 Präzisionsgehäuse:
SMD-2  
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9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,6170
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3000
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40 Euro überschreiten.
OIN LTE3371 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
Micros Symbol: OIN LTE3371 Infos
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LTE3371 RoHS || OIN LTE3371 Rys.LTE3371
Hersteller:
LITE-ON Hersteller-Teilenummer:
LTE3371 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.LTE3371
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2947 0,1609 0,1054 0,0912 0,0840
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Standard-Verpackung:
100
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OIN LTE4208 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
Micros Symbol: OIN LTE4208 Infos
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LTE4208 RoHS || OIN LTE4208 Rys.LTE4208
Hersteller:
LITE-ON Hersteller-Teilenummer:
LTE4208 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.LTE4208
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2993 0,1637 0,1073 0,0926 0,0854
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Standard-Verpackung:
100
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VEMT3700F Vishay Fototransistor VEMT3700F; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 100 °C; Schwarz; VEMT3700F-GS08; VEMT3700FX01-GS08; VEMT3700FX01-GS18;
Micros Symbol: OIO VEMT3700F Infos
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VEMT3700F-GS08 RoHS || VEMT3700F Vishay Rys.OIO VEMT3700F
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
VEMT3700F-GS08 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.OIO VEMT3700F
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Auf Lager:
1065 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4305 0,2832 0,2028 0,1738 0,1653
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Standard-Verpackung:
1500
Menge (mehrere 1)
PT12-21B/TR8
Micros Symbol: OL.PT12-21B/TR8 Infos Zu favoriten hinzufügen
PT12-21B/TR8 RoHS || PT12-21B/TR8 PT12
Hersteller:
EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer:
PT12-21B/TR8 RoHS Präzisionsgehäuse:
PT12  
Auf Lager:
1300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 400+ 1300+
Preis netto (EUR) 0,1697 0,0799 0,0444 0,0343 0,0309
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
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1300
Menge (mehrere 1)
HIR7373C IR-emittierende Diode; Wellenlänge: 850 nm Strahlungsintensität: 7,8 mW/sr; IF=100mA; VF=1,45V
Micros Symbol: OIN HIR7373c Infos
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HIR7373C RoHS || HIR7373C LED í 5
Hersteller:
EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer:
HIR7373C RoHS Präzisionsgehäuse:
LED í 5
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Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,7413 0,4674 0,3661 0,3338 0,3223
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P300M4D YETDA Fototransistor P300M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
Micros Symbol: OIO P300M4D Infos
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P300M4G RoHS || P300M4D YETDA Rys.OIO P300M4D
Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer:
P300M4G RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.OIO P300M4D  
Auf Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1483 0,0592 0,0345 0,0288 0,0269
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P500M4D YETDA Fototransistor P500M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
Micros Symbol: OIO P500M4D Infos
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P500M4G RoHS || P500M4D YETDA Rys.OIO P500M4D
Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer:
P500M4G RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.OIO P500M4D  
Auf Lager:
700 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1621 0,0649 0,0378 0,0313 0,0295
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N0P08L56 Brightek Fototransistor N0P08L56; 3mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
Micros Symbol: OIO N0P08L56 Infos
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N0P08L56 RoHS || N0P08L56 Brightek Rys.OIO N0P08L56
Hersteller:
BRIGHTEK Hersteller-Teilenummer:
N0P08L56 RoHS Präzisionsgehäuse:
Rys.OIO N0P08L56  
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2510 0,1252 0,0746 0,0617 0,0555
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
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