Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 532)
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OIN LTE3371
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
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OIN LTE4208
IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
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VEMT3700F Vishay
Fototransistor VEMT3700F; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 100 °C; Schwarz; VEMT3700F-GS08; VEMT3700FX01-GS08; VEMT3700FX01-GS18;
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Standard-Verpackung: 1500 Menge (mehrere 1) |
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Hersteller:
EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: PT12-21B/TR8 RoHS Präzisionsgehäuse: PT12 |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
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HIR7373C
IR-emittierende Diode; Wellenlänge: 850 nm Strahlungsintensität: 7,8 mW/sr; IF=100mA; VF=1,45V
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500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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P300M4D YETDA
Fototransistor P300M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
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Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer: P300M4G RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO P300M4D |
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800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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P500M4D YETDA
Fototransistor P500M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
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Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer: P500M4G RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO P500M4D |
Auf Lager:
700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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N0P08L56 Brightek
Fototransistor N0P08L56; 3mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
BRIGHTEK Hersteller-Teilenummer: N0P08L56 RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO N0P08L56 |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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N0P08L59 Brightek
Fototransistor N0P08L59; 5mm; Wellenlänge: 950 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 38°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
BRIGHTEK Hersteller-Teilenummer: N0P08L59 RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO N0P08L59 |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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N0P45L85SV Brightek
Fototransistor N0P45L85SV; 1,5mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 40°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
BRIGHTEK Hersteller-Teilenummer: N0P45L85SV RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO N0P45L85SV |
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1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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N0P47L84 Brightek
Fototransistor N0P47L84; 3mm; Wellenlänge: 950 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
BRIGHTEK Hersteller-Teilenummer: N0P47L84 RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO N0P47L84 |
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1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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L-3DP3C Kingbright
Fototransistor L-3DP3C; 3mm; Wellenlänge: 940 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 50°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
KingBright Hersteller-Teilenummer: L-3DP3C RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO L-3DP3C |
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1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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L-7113P3C Kingbright
Fototransistor L-7113P3C; 5mm; Wellenlänge: 940 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 20°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
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Hersteller:
KingBright Hersteller-Teilenummer: L-7113P3C RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIO L-7113P3C |
Auf Lager:
360 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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LL-304IRC4B-2AD
IR-Emissionsdiode THT 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; WENN= 60mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +100°C
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Auf Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/5000 Menge (mehrere 1) |
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304HIRC4B-5CE
IR-Emissionsdiode THT 3mm; klar; Wellenlänge: 880 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF = 1,3 V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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304HIRT4B-5CE
IR-Emissionsdiode THT 3mm; klar; Wellenlänge: 880 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF = 1,3 V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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503IRC2E-5AC
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +80°C
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Auf Lager:
675 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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503IRC2V-5AD
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 150 mW; WENN= 100mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
555 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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503SIRC2H-5AE
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 150 mW; WENN= 100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
480 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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S170IRC-2A
IR-Emissionsdiode SMD 0805; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; WENN= 50mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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OSIXCA3131A OPTOSUPPLY
IR-Emitterdiode rund 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 200 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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Auf Lager:
550 Stk. |
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Standard-Verpackung: 250/1000 Menge (mehrere 1) |
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OSI5NE87B1A
IR-Emitterdiode rund 8mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 270 mW; 150mA; 1,4-1,8 V
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Auf Lager:
492 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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OSIXCA5121A
IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 190 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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Auf Lager:
400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 250/500 Menge (mehrere 1) |
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OSI3CA5111A
IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 126 mW; 70mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500/2000 Menge (mehrere 1) |
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LTE-302
IR-Sender; THT 940 nm; transparent; 165 mW; 40°; THT; 20mA Betrachtungswinkel 40°; IF=20mA; VF=1,2-1,6 V
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Auf Lager:
310 Stk. |
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Standard-Verpackung: 350 Menge (mehrere 1) |
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IR26-51C/L110/TR8 Everlight
SMD-Infrarotsender 3016; transparent; Wellenlänge: 940nm Gesamtleistung: 130mW; Strom IF = 65mA; Spannung VF = 1,2–4V
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Hersteller:
EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: IR26-51C/L110/TR8 RoHS Präzisionsgehäuse: OIN IR26 |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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L-34F3BT
IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm Leistung: 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V
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Auf Lager:
1919 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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OIN L-934SF4BT
IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 880 nm 7mW; IF=50mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +85°C
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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I300LOC4G YETDA
IR-Emissionsdiode THT 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; WENN = 40 mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -20°C +75°C
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Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer: I300LOC4G RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIN I300LOC4G |
Auf Lager:
1800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/3000 Menge (mehrere 1) |
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I500LOC4D YETDA
IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=40mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -20°C +75°C
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Hersteller:
YETDA Hersteller-Teilenummer: I500LOC4G RoHS Präzisionsgehäuse: Rys.OIN I500LOC4D |
Auf Lager:
2995 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/3000 Menge (mehrere 1) |
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