Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 532)

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OIN LTE3371 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
LTE3371 RoHS || OIN LTE3371 Rys.LTE3371
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LITE-ON
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LTE3371 RoHS
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OIN LTE4208 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
LTE4208 RoHS || OIN LTE4208 Rys.LTE4208
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LITE-ON
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LTE4208 RoHS
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Rys.LTE4208
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VEMT3700F Vishay Fototransistor VEMT3700F; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 100 °C; Schwarz; VEMT3700F-GS08; VEMT3700FX01-GS08; VEMT3700FX01-GS18;
VEMT3700F-GS08 RoHS || VEMT3700F Vishay Rys.OIO VEMT3700F
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Vishay
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VEMT3700F-GS08 RoHS
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Rys.OIO VEMT3700F
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PT12-21B/TR8 RoHS || PT12-21B/TR8 PT12
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EVERLIGHT
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PT12-21B/TR8 RoHS
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PT12
 
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HIR7373C IR-emittierende Diode; Wellenlänge: 850 nm Strahlungsintensität: 7,8 mW/sr; IF=100mA; VF=1,45V
HIR7373C RoHS || HIR7373C LED í 5
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EVERLIGHT
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HIR7373C RoHS
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LED í 5
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P300M4D YETDA Fototransistor P300M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
P300M4G RoHS || P300M4D YETDA Rys.OIO P300M4D
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YETDA
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P300M4G RoHS
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Rys.OIO P300M4D
 
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P500M4D YETDA Fototransistor P500M4D YETDA 70 mW; Arbeitstemperatur: -20 °C bis 75 °C
P500M4G RoHS || P500M4D YETDA Rys.OIO P500M4D
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YETDA
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P500M4G RoHS
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Rys.OIO P500M4D
 
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N0P08L56 Brightek Fototransistor N0P08L56; 3mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
N0P08L56 RoHS || N0P08L56 Brightek Rys.OIO N0P08L56
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BRIGHTEK
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N0P08L56 RoHS
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Rys.OIO N0P08L56
 
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N0P08L59 Brightek Fototransistor N0P08L59; 5mm; Wellenlänge: 950 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 38°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
N0P08L59 RoHS || N0P08L59 Brightek Rys.OIO N0P08L59
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BRIGHTEK
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N0P08L59 RoHS
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Rys.OIO N0P08L59
 
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N0P45L85SV Brightek Fototransistor N0P45L85SV; 1,5mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 40°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
N0P45L85SV RoHS || N0P45L85SV Brightek Rys.OIO N0P45L85SV
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BRIGHTEK
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N0P45L85SV RoHS
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Rys.OIO N0P45L85SV
 
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N0P47L84 Brightek Fototransistor N0P47L84; 3mm; Wellenlänge: 950 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
N0P47L84 RoHS || N0P47L84 Brightek Rys.OIO N0P47L84
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BRIGHTEK
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N0P47L84 RoHS
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L-3DP3C Kingbright Fototransistor L-3DP3C; 3mm; Wellenlänge: 940 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 50°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
L-3DP3C RoHS || L-3DP3C Kingbright Rys.OIO L-3DP3C
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KingBright
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L-7113P3C Kingbright Fototransistor L-7113P3C; 5mm; Wellenlänge: 940 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 20°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
L-7113P3C RoHS || L-7113P3C Kingbright Rys.OIO L-7113P3C
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KingBright
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L-7113P3C RoHS
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LL-304IRC4B-2AD IR-Emissionsdiode THT 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; WENN= 60mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +100°C
304IRC4B-5AD RoHS || LL-304IRC4B-2AD Rys.OIN 304
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LUCKY LIGHT
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304IRC4B-5AD RoHS
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304HIRC4B-5CE IR-Emissionsdiode THT 3mm; klar; Wellenlänge: 880 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF = 1,3 V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
304HIRC4B-5CE RoHS || 304HIRC4B-5CE Rys.OIN 304
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LUCKY LIGHT
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304HIRC4B-5CE RoHS
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Rys.OIN 304
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304HIRT4B-5CE IR-Emissionsdiode THT 3mm; klar; Wellenlänge: 880 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF = 1,3 V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
304HIRT4B-5CE RoHS || 304HIRT4B-5CE Rys.OIN 304
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LUCKY LIGHT
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304HIRT4B-5CE RoHS
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Rys.OIN 304
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503IRC2E-5AC IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 160 mW; WENN= 100mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +80°C
503IRC2E-5AC RoHS || 503IRC2E-5AC Rys.OIN 503
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LUCKY LIGHT
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503IRC2E-5AC RoHS
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Rys.OIN 503
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503IRC2V-5AD IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 150 mW; WENN= 100mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
503IRC2V-5AD RoHS || 503IRC2V-5AD Rys.OIN 503
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LUCKY LIGHT
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503IRC2V-5AD RoHS
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Rys.OIN 503
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2205 0,1105 0,0658 0,0544 0,0490
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503SIRC2H-5AE IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 150 mW; WENN= 100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
503SIRC2H-5AE RoHS || 503SIRC2H-5AE Rys.OIN 503
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LUCKY LIGHT
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503SIRC2H-5AE RoHS
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Rys.OIN 503
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
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500
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S170IRC-2A IR-Emissionsdiode SMD 0805; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; WENN= 50mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +80°C, Lagerung -40°C +85°C
S170IRC-2A RoHS || S170IRC-2A Rys.OIN S170
Hersteller:
LUCKY LIGHT
Hersteller-Teilenummer:
S170IRC-2A RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN S170
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
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3000
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OSIXCA3131A OPTOSUPPLY IR-Emitterdiode rund 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 200 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
OSIXCA3131A RoHS || OSIXCA3131A OPTOSUPPLY Rys.OIN OSIXCA3131A
Hersteller:
OPTOSUPPLY
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OSIXCA3131A RoHS
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Rys.OIN OSIXCA3131A
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Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
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250/1000
Menge (mehrere 1)
OSI5NE87B1A IR-Emitterdiode rund 8mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 270 mW; 150mA; 1,4-1,8 V
OSI5NE87B1A RoHS || OSI5NE87B1A Rys.OIN OSI5NE87B1A
Hersteller:
OPTOSUPPLY
Hersteller-Teilenummer:
OSI5NE87B1A RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN OSI5NE87B1A
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1057 0,0483 0,0262 0,0195 0,0176
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500
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OSIXCA5121A IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 190 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
OSIXCA5121A RoHS || OSIXCA5121A Rys.OIN OSIXCA5121A
Hersteller:
OPTOSUPPLY
Hersteller-Teilenummer:
OSIXCA5121A RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN OSIXCA5121A
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400 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 250+ 500+
Preis netto (EUR) 0,3873 0,2529 0,1791 0,1538 0,1490
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250/500
Menge (mehrere 1)
OSI3CA5111A IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 126 mW; 70mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
OSI3CA5111A RoHS || OSI3CA5111A Rys.OIN OSIXCA5121A
Hersteller:
OPTOSUPPLY
Hersteller-Teilenummer:
OSI3CA5111A RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN OSIXCA5121A
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2438 0,1342 0,0888 0,0740 0,0695
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500/2000
Menge (mehrere 1)
LTE-302 IR-Sender; THT 940 nm; transparent; 165 mW; 40°; THT; 20mA Betrachtungswinkel 40°; IF=20mA; VF=1,2-1,6 V
LTE-302 RoHS || LTE-302 rys.OIN LTE302
Hersteller:
LITE-ON
Hersteller-Teilenummer:
LTE-302 RoHS
Präzisionsgehäuse:
rys.OIN LTE302
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 350+ 1400+
Preis netto (EUR) 0,2009 0,1105 0,0729 0,0622 0,0574
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350
Menge (mehrere 1)
IR26-51C/L110/TR8 Everlight SMD-Infrarotsender 3016; transparent; Wellenlänge: 940nm Gesamtleistung: 130mW; Strom IF = 65mA; Spannung VF = 1,2–4V
IR26-51C/L110/TR8 RoHS || IR26-51C/L110/TR8 Everlight OIN IR26
Hersteller:
EVERLIGHT
Hersteller-Teilenummer:
IR26-51C/L110/TR8 RoHS
Präzisionsgehäuse:
OIN IR26
 
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2552 0,1289 0,0779 0,0615 0,0567
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
L-34F3BT IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm Leistung: 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V
L-34F3BT RoHS || L-34F3BT Rys.L-34F3BT
Hersteller:
KingBright
Hersteller-Teilenummer:
L-34F3BT RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.L-34F3BT
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1919 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2483 0,1312 0,1018 0,0939 0,0900
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
OIN L-934SF4BT IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 880 nm 7mW; IF=50mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +85°C
L-934SF4BT RoHS || OIN L-934SF4BT Rys.L-934SF4BT
Hersteller:
KingBright
Hersteller-Teilenummer:
L-934SF4BT RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.L-934SF4BT
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4374 0,2643 0,2032 0,1834 0,1745
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
I300LOC4G YETDA IR-Emissionsdiode THT 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; WENN = 40 mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -20°C +75°C
I300LOC4G RoHS || I300LOC4G YETDA Rys.OIN I300LOC4G
Hersteller:
YETDA
Hersteller-Teilenummer:
I300LOC4G RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN I300LOC4G
 
Auf Lager:
1800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1349 0,0513 0,0287 0,0237 0,0225
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Standard-Verpackung:
1000/3000
Menge (mehrere 1)
I500LOC4D YETDA IR-Emissionsdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=40mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -20°C +75°C
I500LOC4G RoHS || I500LOC4D YETDA Rys.OIN I500LOC4D
Hersteller:
YETDA
Hersteller-Teilenummer:
I500LOC4G RoHS
Präzisionsgehäuse:
Rys.OIN I500LOC4D
 
Auf Lager:
2995 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1479 0,0588 0,0339 0,0282 0,0269
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1000/3000
Menge (mehrere 1)
1    4  5  6  7  8  9  10  11  12    18