817B UMW

Symbol Micros: OOPC817b UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Einzel CTR 130-260 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-817-B, EL817(B), EL817(B)-F, PC817X2NSZ9F, FOD817B
Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: PC817B RoHS Gehäuse: PDIP04 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1373 0,0648 0,0363 0,0276 0,0249
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100/1000
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole