EL817(B)-F

Symbol Micros: OOPC817b EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04
Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: LTV817B; PC817B; EL817(B)-F; EL817B;
Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-12-19
Anzahl Stück: 17500
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V