AOD417 JSMICRO

Symbol Micros: TAOD417 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 68mOhm; 15A; 90W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
139 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 139+ 556+
Nettopreis (EUR) 0,3394 0,2212 0,1628 0,1408 0,1306
Standard-Verpackung:
139
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
161 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 161+ 644+
Nettopreis (EUR) 0,3394 0,2215 0,1633 0,1398 0,1306
Standard-Verpackung:
161
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD