AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC
Symbol Micros:
TAP2310gn-hf-3 TEC
Gehäuse: SOT23
SOT-23 MOSFETs RoHS Ähnlich zu: AP2310GN-HF-3; VBSemi AP2310GN-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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