AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TAP2310gn-hf-3 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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SOT-23 MOSFETs RoHS Ähnlich zu: AP2310GN-HF-3; VBSemi AP2310GN-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-31
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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