BC817-16 GALAXY
Symbol Micros:
TBC81716 GAL
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16LT1G; BC817-16LT3G; BC817-16 RFG; BC817-16-7-F; BC817-16-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | GALAXY |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | GALAXY |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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