BC817-40 Diodes
Symbol Micros:
TBC81740 DIO
113556
TBC81740 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
NPN 45V 800mA 310mW 100MHz NPN 45V 800mA 310mW 100MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-08-07
Anzahl Stück: 6000
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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