BC817-40 Diodes

Symbol Micros: TBC81740 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN 45V 800mA 310mW 100MHz NPN 45V 800mA 310mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC817-40-7-F RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2070 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1265 0,0579 0,0316 0,0236 0,0211
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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