BC817-40 JGSEMI

Symbol Micros: TBC81740 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN-Transistor; 630; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G; BC817-40 RFG; BC817-40-7-F; BC817-40-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1440 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0560 0,0209 0,0112 0,0084 0,0077
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole