BC848B HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC848b HXY
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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