BC848BLT1G

Symbol Micros: TBC848b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1051 0,0415 0,0242 0,0177 0,0162
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1051 0,0415 0,0242 0,0177 0,0162
Standard-Verpackung:
3000/9000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN