BC848C smd

Symbol Micros: TBC848c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 30V 225mW 100MHz NPN 100mA 30V 225mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
11500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0725 0,0279 0,0136 0,0108 0,0104
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848CLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
38000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0141
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848CLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2151000 stk.
Anzahl Stück 21000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0104
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN