BC848C TDSEMIC

Symbol Micros: TBC848c TDS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: TDSEMIC
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: TDSEMIC Hersteller-Teilenummer: BC848C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0404 0,0147 0,0078 0,0058 0,0054
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: TDSEMIC
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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