BC858CLT1G ONS

Symbol Micros: TBC858c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0771 0,0296 0,0145 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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