BC858CLT1G ONS
Symbol Micros:
TBC858c ONS
Gehäuse: SOT23-3
Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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