BD911 JSMICRO

Symbol Micros: TBD911 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN-Transistor; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 90W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD911 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
175 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6058 0,3840 0,3017 0,2743 0,2629
Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 90W
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN