BD911 sgs

Symbol Micros: TBD911sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN 15A 100V 90W 3MHz NPN 15A 100V 90W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD911 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
1030 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7942 0,5045 0,3971 0,3620 0,3457
Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN