BDX53C
Symbol Micros:
TBDX53c
Gehäuse: TO220
Darl.NPN 8A 100V 60W Darl.NPN 8A 100V 60W
Parameter
| Verlustleistung: | 60W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5271 | 0,3346 | 0,2636 | 0,2406 | 0,2292 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BDX53C
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
85 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5111 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BDX53C
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
357601 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2310 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BDX53C
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6900 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3086 |
| Verlustleistung: | 60W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
BDX53CG RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| Nettopreis (EUR) | 1,0107 | 0,7426 | 0,5959 | 0,5111 | 0,4813 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
JSMSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BDX53C RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
289 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4102 | 0,2704 | 0,1941 | 0,1662 | 0,1581 |
Standard-Verpackung: 50/300
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole