BDX53C JSMICRO

Symbol Micros: TBDX53c JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN Darlington-Transistor; 1000; 65W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BDX53CG; BDX53CTU; BDX53C-S;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: BDX53C RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4227 0,2786 0,2000 0,1712 0,1629
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Standard-Verpackung:
50/300
Verlustleistung: 65W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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