BSP250
Symbol Micros:
TBSP250
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
1025 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4727 | 1,0311 | 0,8761 | 0,8009 | 0,7751 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
804 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7751 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSP250,115
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
14000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7751 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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