BSP250 JGSEMI

Symbol Micros: TBSP250 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSP250,115; BSP250,135;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BSP250 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3359 0,1851 0,1454 0,1348 0,1292
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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