BSS131 JSMICRO

Symbol Micros: TBSS131 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 4,5 Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS131 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2172 0,1096 0,0662 0,0524 0,0482
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD