BSS131H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS131
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 110mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20Ohm |
| Max. Drainstrom: | 110mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2404 | 0,1216 | 0,0738 | 0,0585 | 0,0533 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
198100 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0533 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
432000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0533 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-31
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 20Ohm |
| Max. Drainstrom: | 110mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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