BSS138PW JGSEMI

Symbol Micros: TBSS138pw JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138PW RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0952 0,0376 0,0219 0,0160 0,0147
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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