BSS138WH6327XTSA1 Infineon

Symbol Micros: TBSS138w
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Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 280mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS138WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1859 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2053 0,0975 0,0548 0,0418 0,0373
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 280mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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