BSS169H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSS169
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Max. Drainstrom: 170mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Max. Drainstrom: 170mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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