BSS83PH6327XTSA1

Name: TBSS83p TBSS83p
Brand: Infineon
SKU: TBSS83p
Price: 0.0593 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS83p

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3190 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2472	0,1254	0,0760	0,0602	0,0549

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83P H6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2472	0,1254	0,0760	0,0602	0,0549

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS 83 P Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2589

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

86400 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1108

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1335	0,0533	0,0311	0,0259	0,0243

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2053	0,0822	0,0478	0,0398	0,0373