BSS83PH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSS83p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9990 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2081 0,1151 0,0763 0,0639 0,0594
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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