PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI

Symbol Micros: TPJM2301PSA-S PJS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; -20V; 12V; 180 mOhm; -2A; 0,7 W; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: -2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: PJSEMI
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: PJSEMI Hersteller-Teilenummer: PJM2301PSA-S RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1371 0,0548 0,0320 0,0266 0,0249
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: -2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: PJSEMI
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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