FDV303N

Name: TFDV303n TFDV303n
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDV303n
Price: 0.0280 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDV303n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	680mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

6241 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1540	0,0733	0,0411	0,0313	0,0280

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

5202000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0280

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

3700 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0371

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	680mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1899	0,0760	0,0441	0,0369	0,0345