FDV303N
Symbol Micros:
TFDV303n
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 680mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
8886 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1962 | 0,0995 | 0,0603 | 0,0478 | 0,0436 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 680mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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Standard-Verpackung: 3000
Menge (Vielfache 1)
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| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,1887 | 0,0756 | 0,0438 | 0,0366 | 0,0343 |
Standard-Verpackung: 1000
Menge (Vielfache 1)
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