FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-150%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 2+ 9+ 30+ 87+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5592 0,3582 0,2912 0,2611 0,2450
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Standard-Verpackung:
3
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 97+ 388+
Nettopreis (EUR) 0,5592 0,4160 0,3073 0,2588 0,2426
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Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2450
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-150%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V

Symbol Micros

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