FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 15+ 63+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9409 0,6921 0,5309 0,4740 0,4479
Standard-Verpackung:
3
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 97+ 485+
Nettopreis (EUR) 0,9409 0,6257 0,5167 0,4669 0,4479
Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
43000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4479
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V