FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-150%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 97+ 388+
Nettopreis (EUR) 0,5509 0,4098 0,3028 0,2550 0,2390
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Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 2+ 9+ 30+ 87+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5509 0,3529 0,2869 0,2573 0,2413
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Standard-Verpackung:
3
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 50-150%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V

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