FOD817AS

Symbol Micros: OOPC817as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
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Einzel CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817ASD
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 80-160%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817AS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3085 0,1684 0,1104 0,0997 0,0879
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
17000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0879
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
903000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0879
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 80-160%
Isolationsspannung: 5000V
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 70V

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