FOD817AS

Symbol Micros: OOPC817as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817ASD
Parameter
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FOD817AS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3377 0,1861 0,1462 0,1386 0,1299
Standard-Verpackung:
100
Klickrate (CTR): 80-160%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung [V]: 70V