FOD817AS
Symbol Micros:
OOPC817as FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817ASD
Parameter
| Klickrate (CTR): | 80-160% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817AS RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3375 | 0,1860 | 0,1461 | 0,1385 | 0,1298 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
379000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1298 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
52000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1298 |
| Klickrate (CTR): | 80-160% |
| Gehäuse: | PDIP04smd |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 5000V |
| Ausgangsspannung: | 70V |
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