LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
einzelner CTR 160 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A
Parameter
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 160%
Isolationsspannung: 0,5kV
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-817S-TA1-A RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
629 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2551 0,1236 0,0844 0,0749 0,0731
Standard-Verpackung:
1000/2000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-30
Anzahl Stück: 5000
Gehäuse: PDIP04smd
Klickrate (CTR): 160%
Isolationsspannung: 0,5kV
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Ausgangsspannung [V]: 35V