IRF1010E
Symbol Micros:
TIRF1010
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
235 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9692 | 0,6423 | 0,5310 | 0,4939 | 0,4614 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
280 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6700 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
12097 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4614 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Gehäuse:
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Auf Lager
80 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8533 | 0,5403 | 0,4266 | 0,3895 | 0,3710 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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