IRF1010E JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF1010 JSM
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF1010EPBF; SP001569818;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
235 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 350+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9692 | 0,6423 | 0,5310 | 0,4939 | 0,4614 |
Standard-Verpackung: 50/350
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
12097 stk.
| Anzahl Stück | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,4614 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
280 stk.
| Anzahl Stück | 10+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6700 |
Standard-Verpackung: 10
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole