IRF1310

Symbol Micros: TIRF1310
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1310NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2442 0,9508 0,7864 0,6902 0,6550
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6550
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
24309 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6550
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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