IRF1310NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF1310 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF1310NPBF; SP001553864;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8686 0,6362 0,5118 0,4390 0,4132
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole