IRF5210PBF

Symbol Micros: TIRF5210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
526 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2641 0,9659 0,7984 0,6997 0,6653
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Standard-Verpackung:
50/500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
70545 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6653
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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