IRF5210PBF

Symbol Micros: TIRF5210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Max. Drainstrom: 40A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
366 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2810 0,8960 0,7607 0,7140 0,6743
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Max. Drainstrom: 40A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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