IRF5210PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF5210 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5210PBF; SP001559642;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2068 0,9210 0,7628 0,6683 0,6353
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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