IRF5305PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF5305 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5305PBF; SP001564354;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7539 0,4782 0,3769 0,3440 0,3275
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT